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CRHEA

Le laboratoire est structuré autour de la croissance de matériaux par épitaxie, qui est le cœur de son activité. Ces matériaux se regroupent aujourd’hui autour de la thématique des semiconducteurs à grande bande interdite : les nitrures de gallium (GaN, InN, AlN et les alliages), l’oxyde de zinc (ZnO) et le carbure de silicium (SiC). Le graphène, matériau de bande interdite nulle, épitaxié sur SiC, vient compléter cette liste. Différentes méthodes de croissance sont utilisées pour synthétiser ces matériaux : l’épitaxie par jets moléculaires (sous ultra vide) et diverses épitaxies en phase vapeur. Autour de ce métier de l’épitaxie se sont organisées des activités d’analyses structurales, optiques et électriques. La plate-forme technologique régionale (CRHEATEC) permet de fabriquer des dispositifs. En terme d’applications, le laboratoire couvre aussi bien le domaine de l’électronique (transistors de puissance de type HEMT, diodes Schottky, diodes tunnels, spintronique...) que celui de l’optoélectronique (diodes électroluminescentes, lasers, détecteurs, matériaux pour optique non linéaire, structures à microcavités pour sources optiques...). Le laboratoire s’est également engagé dans la voie des « nano » avec des aspects fondamentaux (nanoscience) et des aspects plus appliqués (nanotechnologie pour l’électronique ou l’optique).

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High electron mobility transistor HEMT Nanowire Metasurface Nanoparticles Electron holography Silica Silicon Transmission electron microscopy Diodes électroluminescentes DLTFS Normally-off Group III-nitrides Traps Microscopie électronique en transmission GaN HEMT Gallium nitride GaN Light emitting diodes Boron nitride Gallium nitride Nitrures d'éléments III Boîtes quantiques Optical properties III-nitrides Microcavity Excitons Coalescence Atom probe tomography Zinc oxide Bending Defects Chemical vapor deposition processes Silicium GaN GaN-on-Si Doping InGaN High electron mobility transistor HEMT Schottky barrier diode MOCVD Free-standing GaN Tunnel junction Epitaxy Aluminum gallium nitride Épitaxie par jets moléculaires Épitaxie Nitrure de gallium III-N 3C–SiC CVD Diffraction Croissance Graphene CRYSTALS Millimeter-wave power density LED MBE Photoluminescence Transistor Bond order wave Aluminum nitride Heterostructures LPCVD AlN Molecular beam epitaxy Strong coupling AlGaN/GaN HEMT Al High electron mobility transistors Metasurfaces Molecular beam epitaxy MBE Nanostructures LEDs Characterization AlGaN Creep Spectroscopy Metalens III-nitride semiconductors ZnO Selective area growth Compressive stress Quantum dots Semiconducteurs Electrical properties and parameters Atomic force microscopy Chemical vapor deposition Dislocations 6H-SiC Nitrides Caractérisation Quantum wells AlGaN/GaN 2D materials Holography Cathodoluminescence Bullseye antennas Semiconductors Contraintes Silicon carbide